Everspin Technologies通过组合单个芯片中的功能来替换动态随机存取存储器（DRAM）芯片和闪存芯片。

婚姻的结果是磁随机存取存储器（MRAM）芯片，其执行与永久闪存芯片相同的功能，但也具有DRAM的响应速度。

Everspin现在宣布，它已关闭新的2900万美元的资金，由几个新投资者 - 全球铸造厂和西方数字首都领导。现有的everspin投资者新的风险伙伴，Lux Capital，Sigma合作伙伴，史诗企业和Draper Fisher Jurvetson也在这轮阶层加入。

10月份，亚利桑那州伊斯兰的埃尔斯普本表示，它与加利福尼亚州的圣克拉拉合作，为基于Santa Clara的全球铸造厂，为其最新的MRAM开发了300毫米CMOS硅晶片。

全球铸造厂还在先进的“自旋扭矩”MRAM（ST-MRAM）加工设备的研究和开发背后进行了一些钱，该设备将用于创建Everspin最新的内存产品。ST-MRAM芯片使用旋转或磁铁的方向面，以数字形式存储数据。

事实证明，MRAM可以用于各种各样的东西，如计算机，工业设备，以及近场通信（NFC）技术。

在企业数据中心中使用MRAM减少了系统停机时间并简化了系统设计，降低了整体成本。MRAM还消除了对外部部件的需求，如电阻器，电容器，电池和超级电容器。反过来，改善了可靠性并降低了系统成本。

Everspin最显着的竞争对手是基于硅谷的番红花，另一家MRAM芯片公司，该公司正在为其磁逻辑单元（MLU）技术开发多级每电池架构。

everspin是从飞思卡尔半导体的旋转。