替代记忆芯片设计师Nantero在碳纳米管技术的第五轮资金中筹集了3150万美元。资金是在由巨型公司主导的行业中的半导体公司罕见的投资。

基于这种超快速和密集的技术的芯片可用于各种市场，如移动计算，可穿戴物，消费电子，空间和军事应用，企业系统，汽车，事物互联网和工业市场。它们可用于替换闪存或动态随机存取存储器。未来，Nantero希望能够在单个内存芯片上存储数据的数据，使芯片能够在移动设备上存储数百部电影，或数百万歌曲。

投资者包括查尔斯河风险投资，Stata Ventures，Globespan Capital Partners，Harris＆Harris Group，以及Draper Fisher Jurvetson。NARERO使下一代内存芯片配有非易失性随机存取存储器（NRAM），基于碳纳米管。这些微小的人造结构是微观的，一个管的直径约为1 / 50,000人。但它们比钢的50倍，一半的铝密度。

Nantero说，它们还具有比任何其他材料更好的热电和电导率。NRAM芯片是低成本，它们的组件可以堆叠。它们可以读取或写入比NAND闪存快约100倍，并且与动态随机存取存储器（DRAM）大致相同的速度，电源打开时小工具的主干存储。它们可以内置于传统的芯片厂，可以在5纳米以下小型化（电路之间的长度）。公司还表示，他们使用的功率很少，具有高可靠性，并且具有高耐力。

制作新内存的挑战总是在大规模生产中。Nantero表示，它在过去两年中将碳纳米管的成本降低了10次。它已迄今为止成千上万的筹码。

Nantero在马萨诸塞州Woburn的总部拥有超过50名员工，在硅谷和日本设有办事处。该公司成立于2001年。它在2008年将其政府业务促进了国防承包商洛克希德马丁，它有超过175美元的美国专利，并发布了200个待定。

Greg Schmergel，Cofounder，是总裁兼首席执行官，而Cofounder Tom Rueckes是首席技术官。半导体行业协会前总统的乔治可调位于其顾问委员会。

NARERO表示，它的NRAM芯片在互补金属氧化物半导体FABS（芯片工厂）中已经大规模生产了多年，并且NRAM工艺已安装在七种这样的工厂中。它创建了客户现在正在看的4-Megabit Memory Chips。它与多个前三个半导体公司有协议。

以上：Nantroer内存芯片如何工作。

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Nantro Cofounder Schmergel在一份声明中表示，该技术已经在世界级工厂中的发展，并且十几家主要企业赞助商正在积极致力于NRAM。在下一个阶段，他说Nantero的筹码将进入批量生产。

Alan Niebel，WebFeet Research的记忆芯片分析师和创始人表示，该技术“有可能改变电子产品的未来”。

新顾问包括斯特凡莱，以前的英特尔高级高级高级高级行政，他们共用了一个关键记忆类型被称为EPROM隧道氧化物（ETOX）闪存单元，并在Inotera Memories的先前的执行和当前董事会成员的偏航Wen Hu。