英特尔为SuperPlin和Ultrafast笔记本电脑推出下一代'Broadwell'芯片
英特尔揭开其代号为“Broadwell”的下一代微处理器技术的细节,将大大提高笔记本电脑和其他便携式场所的性能和电池寿命。这将是今年和明年来的超快和超级笔记本电脑的大脑。
芯片技术使笔记本电脑能够在空闲模式下使用60%的电力,如去年的哈尔韦尔处理器。正式品牌作为英特尔核心-M,芯片较小50%,体育更好的性能。新芯片代表英特尔的持续多金方竞标,以确保笔记本电脑在平板电脑,智能手机和其他智能设备的时代仍然是我们必要的计算饮食的一部分。
英特尔也在摩尔定律的轨道上,这是1964年的预测由英特尔主席Emeritus Gordon Moore认为,每隔几年芯片上的晶体管数量加倍。
英特尔产品开发副总裁Rani Borkar在印刷机上讲,描述了英特尔的Broadwell微体系结构,为多芯片设计的基础以及其14纳米制造过程,这是技术英特尔用于制造芯片的技术,更快,消耗更少的力量。
Borkar说:“我们是在新筹码中减少权力的疯狂性”。
新的英特尔核心M芯片具有第二代三栅极晶体管,这改变了在英特尔芯片上的开关的基本行为。与去年的芯片相比,晶体管的速度快大约10%至15%。
新技术将使无风扇笔记本电脑小于9毫米厚。它可以实现更好的图形,较低的电源,语音使用和其他优点。英特尔自己的笔记本设计之一仅为7.2毫米厚,与2010年的26毫米厚的笔记本电脑相比。
“你可以煮沸到两个挑战:减少功率和性能,”波尔卡说。
英特尔同伴Mark Bohr在新闻事件中表示,14纳米芯片现在处于批量生产。英特尔每年投入数十亿美元,以带来新的制造过程,这是几年后的第一个能够实现更好的筹码。BOHR表示,英特尔是根据其竞争对手的一代人,基于已发布的信息,如逻辑区域缩放等功能,或拼贴电路之间的宽度的功能。
第二代三栅极晶体管具有改善的低电压性能和较低的泄漏,或者当芯片空闲时的能量损失。
“英特尔是在别人发货之前的第二代FinFET(三门)技术,”Bohr说。“对于英特尔,如果有的话,每个晶体管的成本继续下来,如果有的话,在这14纳米的一代中更快。我们正在继续摩尔定律的道路。“
英特尔正在俄勒冈州,亚利桑那州和爱尔兰制作14米。它希望能够在2015年上半年支持多个产品推出。这些芯片可以根据设计类型来曲柄性能或功率效率。
Jirdan表示,电池将在一台仅8毫米至10毫米厚的笔记本电脑盒中提供10小时的电池寿命。
平台工程集团英特尔研究员斯蒂芬Jourdan表示,英特尔酷睿芯片作为Broadwell处理器将被众所周知,将是笔记本电脑的核心,这些粉丝没有令人讨厌的粉丝必须保持当今笔记本电脑过热。
“这使得一台具有差异不同的笔记本电脑,”Jourdan说。
Patrick Moorhead,Moor Insights&Strategy的分析师评论说:“我们现在所知的是,虽然14nm在英特尔的22nm背后,但它并非很多。我估计,在生命周期中的同一点,14nm落后22nm,在5%至10%之间,在生命周期中,轨迹达到平价。在长期以来,22nm是英特尔最高产量的过程,这可能被解释为正面。显而易见的是,暗示英特尔的14nm进程已经进入沟渠的报告是错误的。他们自己的入学并不容易,但它们似乎已经成功了。“
他补充道,“虽然英特尔的14nm broadwell不是第一个提供PC表现的无粉丝Windows平板电脑部分(AMD与Temash有那么多),但我相信它是第一个将以我们从未见过的性能水平发货的第一个许多形状因素的巨大卷中的TDP(热设计电源)非常低。这可能是一个潜在的游戏更换器,因为现在消费者现在拥有可行的替代品来购买传统的IOS或基于Android的10英寸平板电脑。他们现在可以选择购买平板电脑或2in1,同样良好的电池寿命,就像薄,更强大,但运行Windows 8左右相同的价格。“
以上:英特尔的Mark Bohr展示了14纳米Broadwell芯片
图像信用:Dean Takahashi.