创建3D内存芯片并不是太难。但包装内存单元，使它们含有大量密集的存储是一段时间的问题，这是一段时间内容的芯片制造商。内存芯片启动CrossBar表示，它有一个方法可以使用大量密集的电路创建3D结构。

结果可能是存储芯片，可以在非常小的空间中存储大量数据。加利福尼亚州圣克拉拉街道披露了今天旧金山2014年国际电子设备在2014年国际电子设备的突破性创新。它将使高密度存储能够更快的响应时间和更低的功耗。因此，它可能在从数据中心到智能手机的一切都有用。

CrossBar开发了定制的ram（随机存取存储器）芯片，旨在扰乱600亿美元的闪存芯片市场。该公司表示，横梁可以适用于码头的码头的码头的数据大小，并且可以在今天的最佳闪存速度快20次访问该数据。

该公司的专利发明是现场辅助超连线阈值选择器，旨在克服潜行路径电流问题的问题。意想不到的电流干扰了来自inpidual存储器单元的可靠读数 - 行业中最具挑战性的障碍之一。Crossbar的工程师已经采用了一种抑制这种潜行路径电流的方法。

CrossBar表示，本发明意味着其3D RRAM Terabyte-on-A片产品将很快准备好用于商业化。

“当我们揭开横梁RRAM十八个月前的时候，我们阐述了积极的计划，以便在邮票的筹码中提供一个能够缩放到1磅（TB）的新一代内存，”横杆Ceo的首席执行官George Minassian说：在一份声明中。“横梁继续克服过去的主要技术障碍，让其他人携带额外的障碍将RRAM带到市场上。借鉴了最新成就，我们更接近商业化的一步，从而实现了商业产品中的RRAM技术;一个突破性的成就，将重新定义企业储存和高容量非易失性SoC记忆的可能性。“

该解决方案被称为1TNR（1个晶体管驱动N电阻存储器单元）。它使单个晶体管可以管理非常大量的互连存储器单元，这使得能够非常高容量固态存储器。虽然1TNR使单个晶体管能够以极低功率驱动超过2,000个存储器单元，但也经历了干扰诸如典型RRAM阵列的性能和可靠性的潜水路径电流的泄漏。横杆的设备通过利用超级线性阈值层来解决泄漏问题。

在该层中，在阈值电压下形成挥发性传导路径。该设备是行业的首个选择器，能够在非常小的尺寸下抑制漏电流，并且它已成功在四兆比特测试存储器芯片中演示。

“没有有效的方法来抑制潜行路径电流，高密度3D RRAM在技术上无法实现，”市场研究员WebFeet Research的创始人兼首席执行官Alan Niebel说。“Crossbar的选择器是克服这种设计挑战的第一个解决方案，为Terabyte存储的芯片铺平了道路，成为现实和定位RRAM作为下一代NAND记忆更换的领先的RRAM。”

Crossbar公司成立于2010年，来自Kleiner Perkins Caufield＆Byers，Artiman Ventures，Michigan大学，Michigan大学，Saif Partners，韩国投资合作伙伴，CBC Capital和Tao Invest。