CrossBar今天宣布了一种新的内存芯片，可以取代闪存，在许多应用中取代数字电子产品的基本构建块之一。

以上：横杆芯片设计。

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基于Santa Clara，基于Calla的芯片启动是首次亮相电阻RAM，这是一种可以在单个芯片上存储小于邮票的单个芯片的数据。它可以将该数据快20次，而不是最佳闪存的最佳品种。这些特征可以证明对$ 600亿美元的闪存市场，这是在$ 1.1万亿美元电子市场的核心。Flash用于从iPhone和平板电脑到数码相机的所有内容。

CrossBar表示，它将为消费者，企业，移动，工业和连接设备应用启用新的电子创新浪潮。因为这个潜力，横梁已经成功了筹集资金。它已从Kleiner Perkins Caufield＆Byers，Artiman Ventures和Northern Light Venture首都筹集了2500万美元。

该公司可以放在一个小于等效闪存芯片的单个芯片上的数据或大约250小时的高清电影（如顶部所示）。它还可以在低功耗下执行其存储功能，将设备的电池寿命扩展到数周，月或年。Crossbar还表示它有10倍的NAND闪存芯片可以取代。

该公司已在其中一个合作伙伴的标准制造工厂中建立了一个工作内存阵列。这是一个展示新技术的大型里程碑，不需要制造技术的批发变革。

“这是什么独特的，这是我们在短短三年内能够制造业，”横梁首席执行官乔治·······················································································“这是一种易于制造的技术。”

当然，一项新技术总是难以取代现有的现有技术，以巨大的经济规模运作。闪存芯片可能不那么快，但如果闪存芯片制造商可以构建更多的先进的工厂并花费更多的资金，他们可以尝试围绕横梁，因为它在击中市场之前通过其试验和错误过程。

像Flash一样，RRAM是非易失性的，这意味着它可以永久地存储数据，即使它没有电源。横杆设计使用三层结构，可在三维中堆叠。芯片上的结构越垂直，可以将更加terabyts存储在该芯片上。

“今天的非易失性记忆技术耗尽了蒸汽，击中了较小的制造过程的显着障碍，”矿山说。“通过我们的工作横杆阵列，我们已经实现了证明我们的RRAM技术的所有主要技术里程碑易于制造，并准备用于商业化。这是非易失性记忆行业的流域时刻。“

密歇根大学教授魏璐发明了这项技术，并提请Kleiner Perkins关注。在风险投资公司的竞标时，矿山和他的伴侣研究了这项技术几个月，他们印象深刻。他们在2010年谈判执照并创立了该公司。

“规范是如此优秀[那]我们知道必须有更多的事情，”米斯曼说。

以上：横杆芯片结构

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“记忆市场正在寻求一旦闪光达到其缩放限制的新技术，”研究公司的客观分析总监Jim Smally表示。“横梁在开发生产RRAM方面的令人印象深刻的进展，对这一流行的替代记忆提供了大幅提升。”

Artiman Ventures的合作伙伴Yatin Mundkur表示，第一芯片的生产移动公司更接近商业化。CrossBar认为它可以将数据写入其芯片每秒140兆字节，而闪光灯为7兆字节。读取性能为每秒17兆字节，随机读取延迟30纳秒。

公司只有20名员工。它计划在市场上创建自己的筹码并销售它们，但它还将其技术许可到系统的芯片供应商，将RRAM与同一芯片上的其他组件组合起来。

使用Crossbar Chips，手机和平板电脑将具有更快的存储，更好的播放和更顺畅的备份和存档。在企业方面，供应商可以在数据中心创建固态驱动器和云计算设备。由于其更好的电池寿命和降低成本，RRAM也可用于“物联网”。它可以在智能电表和恒温器等应用中工作。矿山说，RRAM还可以使谷歌玻璃等可穿戴电脑更加功能。

横杆存储器单元基于三个简单图层：非金属底电极，非晶硅切换介质和金属顶部电极。电阻切换机构基于在两个电极之间施加电压时切换材料中的灯丝的形成。这是存储器单元的基本结构，该基本结构一遍又一遍地重复，以便存储数字信息的零和零。

Sherry Garber是分析师公司收敛半导体的创始合作伙伴，表示，“RRAM被广泛认为是下一代记忆的战斗中的明显领导者，而横杆是最先进的公司，展示了证明RRAM可制造性的工作演示。这是该行业的重要发展，因为它提供了一种新的存储技术商业化的明确路径，能够改变电子创新的未来景观。“

Crossbar表示，它已经提交了100项专利，已经发出了30项。

Michael Yang市场研究员IHS的内存和储存高级分析师表示，“我们今天储存的百分之九十的数据是在过去两年中创建的。数据的创建和即时访问已成为现代经验的一个组成部分，继续为可预见的未来提供巨大的储存巨大增长。然而，当前的存储介质，平面NAND是在达到较低的光线上看到挑战，推动身体和工程限制。下一代非易失性存储器（例如Crossbar的RRAM）将绕过这些限制，并提供成为替换内存解决方案所需的性能和容量。“